据界面新闻报道，三星电机正与高通共同开发用于AI芯片先进封装的“有机桥”技术，双方研发与验证工作已持续一年以上，该技术被视为英特尔EMIB硅桥封装方案的潜在替代路径。该方案计划将具备5至7层重新布线层（RDL）的有机桥嵌入FC-BGA基板，目标把线宽与线距压缩至1.5微米至2微米；三星电机同时与其他客户推进基于有机桥的2.1D封装基板开发。
爱建证券分析称，高端AI芯片2.5D封装正由整片大尺寸硅中介层向局部桥接互联演进，把小型桥接单元嵌入有机封装基板、仅在芯片互联关键位置部署，能够规避整片中介层的高额开销，封装成本相较传统方案可降低约50%。该路线的核心变量在于桥接单元嵌入基板的工艺良率与多栈高带宽内存集成的兼容性，其中基板环节良率明显低于封装总良率；伴随良率爬坡，2027年有望在中高端AI专用芯片与多栈高带宽内存集成场景完成样品验证并实现小批量交付。
东北证券指出，载板线路精细化能力正成为先进封装基板的核心门槛，mSAP改良半加成法可稳定量产15微米/15微米超细线路，SAP标准半加成法加工精度进一步收窄至10微米级，二者是实现普通印制电路板制程向高端载板、类载板制程跃迁的关键路径。设备端的激光成像、激光微孔与精密电镀直接决定量产良率与精度，工艺需在精度、良率与规模化量产之间取得平衡。
国盛证券表示，2.5D封装方案当前并行发展，以有机重布线层替代硅中介层的方案成本更低、尺寸更灵活，而在关键互连区域保留局部硅桥的混合方案可兼顾互连密度与大尺寸扩展性；有机基板仍面临基材热膨胀系数失配带来的翘曲问题，对积层绝缘材料与制程匹配提出更高要求。
公司方面，据上市公司互动平台、公告及券商研报表示，
兴森科技：国内IC封装基板厂商，具备20层及以下FC-BGA封装基板量产能力。
深南电路：公司三季度研发费用主要投向用于下一代通信及数据中心相关PCB技术研发、FC-BGA基板产品能力建设。
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