美股存储板块隔夜大涨涨幅，闪迪涨13%，美光科技上涨4.2%，西部数据上涨7.31%。
其中闪迪明确预计2028至2030财年非GAAP毛利率约为80%、营业利润率约为75%，这一罕见的远期盈利指引将NAND闪存行业的景气高度推向历史级水平，也直接点燃了市场对存储超级周期的做多情绪。值得注意的是，闪迪的指引隐含了AI驱动下企业级SSD需求爆发、NAND供给持续偏紧的双重预期。
华鑫证券分析称，存储芯片已从普通零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。SK海力士已宣布投资54.3万亿韩元（约合人民币2600亿元）在韩国龙仁和清州新建晶圆厂，其中龙仁Y2厂主要生产HBM等新一代DRAM，清州M17厂生产DRAM与NAND，两座工厂均为满足AI存储需求的长期产能布局。
根据Omdia预测，2025年至2030年DRAM和NAND Flash市场需求年平均增长率将达19%。价格端，NAND 512Gb TLC现货均价已升至20.13美元，DDR5 16Gb现货均价达51.60美元，各主流规格持续走高。
该机构进一步指出，海外原厂正将产能向高价值产品倾斜并锁定长约客户。三星电子计划将60%至70%的存储产能分配给长期供应合约，已与全球五大数据中心客户签署LTA并收到约四分之一预付款，正与另外五家大型AI客户进行最后谈判，长约合约通常为期5年并含最低价格条款。
华创证券提到，正处于国产化、算力扩张与存储周期上行三重共振阶段，行业涨价周期延续叠加产能扩张，份额与盈利结构有望持续改善，国产存储厂商迎来难得的发展窗口期。
公司方面，据上市公司互动平台、公告及券商研报表示，
长鑫科技：国内第一、全球第四大DRAM厂商，DDR5实现大规模量产并批量商用。
江波龙：国内存储模组龙头，覆盖嵌入式存储、固态硬盘及移动存储产品线。
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